高等化学工程学报

抽象的

纳米立方体 CuInSe2 薄膜的室温合成

Vidya Patil S、Neha Desai D、Suvarta Kharade D、Rahul Mane M 和 Poatrao Bhosale N

采用停滞沉淀技术 (APT) 沉积 CuInSe2 薄膜。薄膜沉积在室温下进行。光学研究揭示了 CuInSe2 薄膜的直接允许类型转变。XRD 图案证实了 CuInSe2 薄膜的混合相。SEM 图像显示纳米立方体薄膜形成。EDS 分析证实合成薄膜中存在铜、铟和硒元素。合成薄膜有利于太阳能电池应用。